Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 191A (Tc) 556W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NXH006P120M3F2PTHG

Číslo produktu DigiKey
5556-NXH006P120M3F2PTHG-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NXH006P120M3F2PTHG
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 191A (Tc) 556W (Tc) Montáž na šasi 36-PIM (56,7x62,8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
191A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 100A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
622nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
11914pF při 800V
Výkon - max
556W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
36-PIM (56,7x62,8)
Základní číslo produktu
NXH006
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 7
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Nosič
Množství Jednotková cena Celk. cena
13 015,67000 Kč3 015,67 Kč
202 678,55000 Kč53 571,00 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:3 015,67000 Kč
Jednotková cena s DPH:3 648,96070 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
NXH004P120M3F2PTHG

NXH004P120M3F2PTHG

MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM

onsemi

3 657,89000 Kč