Name: NVMYS1D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND
Price: 80.5376 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMYS1D3N04CTWG
Číslo produktu DigiKey	NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMYS1D3N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMYS1D3N04CTWG
Popis	TRENCH 6 40V SL NFET
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) Montáž na povrch LFPAK4 (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 75 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4855 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,9W (Ta), 134W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 43A (Ta), 252A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK4 (5x6)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,15mOhm při 50A, 10V	Pouzdro SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 180µA	Základní číslo produktu NVMYS1