Name: NVMYS010N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS010N04CLTWGOSTR-ND
Price: 34.8964 CZK
Availability: OutOfStock

NVMYS010N04CLTWG není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

onsemi

Skladem : 0

Jednotková cena : 53,68000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMYS010N04CLTWG
Číslo produktu DigiKey	NVMYS010N04CLTWGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMYS010N04CLTWGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMYS010N04CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMYS010N04CLTWG
Popis	MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 14A (Ta), 38A (Tc) 3,8W (Ta), 28W (Tc) Montáž na povrch LFPAK4 (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Ta), 38A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,3mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 20µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	570 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 28W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	LFPAK4 (5x6)
Pouzdro	SOT-1023, 4-LFPAK
Základní číslo produktu	NVMYS010