Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 191.059 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMTS1D2N08H
Číslo produktu DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMTS1D2N08H
Popis	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMTS1D2N08H Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 147 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10100 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 300W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,1mOhm při 90A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 4V při 590µA	Základní číslo produktu NVMTS1