Name: NVMTS0D7N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND
Price: 283.0432 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMTS0D7N06CTXG
Číslo produktu DigiKey	488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMTS0D7N06CTXGCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMTS0D7N06CTXG
Popis	MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 60,5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60,5A (Ta), 464A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,72mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11535 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFNW (8,3x8,4)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	NVMTS0