Name: NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND
Price: 61.5043 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMJS2D5N06CLTWG
Číslo produktu DigiKey	NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMJS2D5N06CLTWGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMJS2D5N06CLTWG
Popis	MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3,9W (Ta), 113W (Tc) Montáž na povrch 8-LFPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMJS2D5N06CLTWG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	31A (Ta), 164A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,4mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 135µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,9W (Ta), 113W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-LFPAK
Pouzdro	SOT-1205, 8-LFPAK56
Základní číslo produktu	NVMJS2