Name: NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJD010N10MCLTWGTR-ND
Price: 86.636 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMJD010N10MCLTWG
Číslo produktu DigiKey	488-NVMJD010N10MCLTWGTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMJD010N10MCLTWGCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMJD010N10MCLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMJD010N10MCLTWG
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 11.8A 8LFPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	44 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V Montáž na povrch 8-LFPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26,4nC při 10V
Výrobce onsemi	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1795pF @ 50V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11.8A (Ta), 62A (Tc)	Pouzdro SOT-1205, 8-LFPAK56
Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm @ 17A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-LFPAK
Vgs(th) (max) při Id 3V @ 97µA