Name: NVMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D5N08XT1GTR-ND
Price: 115.5792 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFWS1D5N08XT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFWS1D5N08XT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFWS1D5N08XT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFWS1D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFWS1D5N08XT1G
Popis	T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 83 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5880 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 194W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 253A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,43mOhm při 50A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN, 5 přívodů
Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 330µA	Základní číslo produktu NVMFWS