Name: NVGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 35.4046 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVGS5120PT1G
Číslo produktu DigiKey	NVGS5120PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVGS5120PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVGS5120PT1G
Popis	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 1,8A (Ta) 600mW (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVGS5120PT1G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	111mOhm při 2,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	942 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	600mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	NVGS5120