Name: NVGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 37.6068 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVGS5120PT1G
Číslo produktu DigiKey	NVGS5120PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVGS5120PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVGS5120PT1G
Popis	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 1,8A (Ta) 600mW (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVGS5120PT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18.1 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 942 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 600mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,8A (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP
Rds zap (max) při Id, Vgs 111mOhm při 2,9A, 10V	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA	Základní číslo produktu NVGS5120