Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 38.8168 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVF6P02T3G
Číslo produktu DigiKey	NVF6P02T3GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVF6P02T3GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVF6P02T3G
Popis	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 10A (Ta) 8,3W (Ta) Montáž na povrch SOT-223 (TO-261)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVF6P02T3G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1200 pF @ 16 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	8,3W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-223 (TO-261)
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	NVF6P02