Name: NVD5C688NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C688NLT4GOSTR-ND
Price: 61.831 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVD5C688NLT4G
Číslo produktu DigiKey	NVD5C688NLT4GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVD5C688NLT4GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVD5C688NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVD5C688NLT4G
Popis	MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 17A (Tc) 18W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVD5C688NLT4G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 400 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 18W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK
Rds zap (max) při Id, Vgs 27,4mOhm při 10A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 250µA	Základní číslo produktu NVD5C688