Name: NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG160N120SC1TR-ND
Price: 296.1475 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVBG160N120SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NVBG160N120SC1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NVBG160N120SC1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NVBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVBG160N120SC1
Popis	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 19,5A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVBG160N120SC1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	224mOhm při 12A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 2,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	33.8 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	678 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	NVBG160