Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 635.1532 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVBG030N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NVBG030N120M3STR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVBG030N120M3S
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	77A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	39mOhm při 30A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 15mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2430 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	348W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA