Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 80.0294 CZK
Availability: OutOfStock

NTTFS1D2N02P1E není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

Renesas Electronics Corporation

Skladem : 7 825

Jednotková cena : 17,24000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTTFS1D2N02P1E
Číslo produktu DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTTFS1D2N02P1E
Popis	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTTFS1D2N02P1E Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 934µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 24 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +16V, -12V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4040 pF @ 13 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 820mW (Ta), 52W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 23A (Ta), 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (3,3x3,3)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerWDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1mOhm při 38A, 10V	Základní číslo produktu NTTFS1