Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 74.8869 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTTFS1D2N02P1E
Číslo produktu DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTTFS1D2N02P1E
Popis	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTTFS1D2N02P1E Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1mOhm při 38A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 934µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4040 pF @ 13 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (3,3x3,3)
Pouzdro	8-PowerWDFN
Základní číslo produktu	NTTFS1