Name: NTS2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTS2101PT1GOSTR-ND
Price: 14.7378 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTS2101PT1G
Číslo produktu DigiKey	NTS2101PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTS2101PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTS2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTS2101PT1G
Popis	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 1,4A (Ta) 290mW (Ta) Montáž na povrch SC-70-3 (SOT323)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTS2101PT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.4 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 640 pF @ 8 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 290mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 8 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,4A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SC-70-3 (SOT323)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro SC-70, SOT-323
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 1A, 4,5V	Základní číslo produktu NTS2101