Name: NTS2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTS2101PT1GOSTR-ND
Price: 8.3127 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

NTS2101PT1G
Číslo produktu DigiKey	NTS2101PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTS2101PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTS2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTS2101PT1G
Popis	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 8 V 1,4A (Ta) 290mW (Ta) Montáž na povrch SC-70-3 (SOT323)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTS2101PT1G Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	8 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm při 1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	640 pF @ 8 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	290mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SC-70-3 (SOT323)
Pouzdro	SC-70, SOT-323
Základní číslo produktu	NTS2101

Jednotková cena bez DPH:	6,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:	8,31270 Kč

NTS2101PT1G