NTR1P02T3G onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

NTR1P02T3G je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

onsemi

Skladem : 128

Jednotková cena : 10,53000 Kč

Parametrický ekvivalent

onsemi

Skladem : 5 697

Jednotková cena : 13,89000 Kč

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 19 266

Jednotková cena : 8,63000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 9,47000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 11,79000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTR1P02T3G
Číslo produktu DigiKey	NTR1P02T3G-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTR1P02T3G
Popis	MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTR1P02T3G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	165 pF @ 5 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	400mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	NTR1P0