Name: NTR1P02LT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02LT1GOSTR-ND
Price: 9.9099 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTR1P02LT1G
Číslo produktu DigiKey	NTR1P02LT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTR1P02LT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTR1P02LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTR1P02LT1G
Popis	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 1,3A (Ta) 400mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTR1P02LT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,25V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.5 nC @ 4 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 225 pF @ 5 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 400mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,3A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4,5V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 220mOhm při 750mA, 4,5V	Základní číslo produktu NTR1P02