NTNS3A65PZT5G je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

NTNS3A67PZT5G
onsemi
Skladem : 6 147
Jednotková cena : 10,29000 Kč

Similar

PMZ950UPEYL
Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 6,72000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
P-kanál 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Montáž na povrch SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTNS3A65PZT5G

Číslo produktu DigiKey
NTNS3A65PZT5GOSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NTNS3A65PZT5G
Popis
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Montáž na povrch SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
281mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,3Ohm při 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
44 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
155mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Pouzdro
3-XFDFN
Základní číslo produktu
NTNS3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 278 106 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

278 106Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC