Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 205.0345 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMTSC1D6N10MCTXG
Číslo produktu DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMTSC1D6N10MCTXG
Popis	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 8-TDFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMTSC1D6N10MCTXG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 106 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7630 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 5,1W (Ta), 291W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-TDFNW (8,3x8,4)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,7mOhm při 90A, 10V	Základní číslo produktu NTMTSC1
Vgs(th) (max) při Id 4V při 650µA