Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 111.5378 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMTS001N06CTXG
Číslo produktu DigiKey	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMTS001N06CTXG
Popis	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 53,7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 113 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8705 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 5W (Ta), 244W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 53,7A (Ta), 376A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFNW (8,3x8,4)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,91mOhm při 50A, 10V	Základní číslo produktu NTMTS001