Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 52.7197 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMS10P02R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMS10P02R2G
Popis	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 8,8A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMS10P02R2G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14mOhm při 10A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3640 pF @ 16 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,6W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	NTMS10