Name: NTMFS5H630NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND
Price: 56.1561 CZK
Availability: InStock

NTMFS5H630NLT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NTMFS5H630NLT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTMFS5H630NLT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTMFS5H630NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMFS5H630NLT1G
Popis	MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 22A (Ta), 120A (Tc) 3,1W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMFS5H630NLT1G Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22A (Ta), 120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,1mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 130µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2540 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NTMFS5

Jednotková cena bez DPH:	46,41000 Kč
Jednotková cena s DPH:	56,15610 Kč

NTMFS5H630NLT1G