Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 87.967 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMFS3D2N10MDT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMFS3D2N10MDT1G
Popis	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,5mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 316µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3900 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NTMFS3