Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 32.3433 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMD6N02R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMD6N02R2G
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 3,92A 730mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMD6N02R2G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,92A
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100pF při 16V
Výkon - max	730mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	NTMD6