Name: NTMD3P03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD3P03R2GOSTR-ND
Price: 42.4347 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMD3P03R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMD3P03R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMD3P03R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMD3P03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMD3P03R2G
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,34A 730mW Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMD3P03R2G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 750pF při 24V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 730mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,34A	Základní číslo produktu NTMD3
Rds zap (max) při Id, Vgs 85mOhm při 3,05A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 621

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	8,84797 Kč	22 119,92 Kč
5 000	8,21089 Kč	41 054,45 Kč

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	35,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	42,43470 Kč

NTMD3P03R2G