Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 27.4428 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJS2103PTBG
Číslo produktu DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJS2103PTBG
Popis	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 3,5A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 4.5 V
Řada µCool™	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1157 pF @ 6 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 700mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,5A (Ta)	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 4,5V	Základní číslo produktu NTLJS2103
Rds zap (max) při Id, Vgs 40mOhm při 3A, 4,5V