Name: NTLJF3117PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJF3117PT1GOSTR-ND
Price: 20.691 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJF3117PT1G
Číslo produktu DigiKey	NTLJF3117PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJF3117PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJF3117PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJF3117PT1G
Popis	MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 2,3A (Ta) 710mW (Ta) Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTLJF3117PT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Řada µCool™	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 531 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Funkce tranzistoru FET Schottkyho dioda (samostatná)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 710mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,3A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 2A, 4,5V	Základní číslo produktu NTLJF3117