NTLJD4150PTBG onsemi | Pole FET, MOSFET

NTLJD4150PTBG je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 14,81000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 14,18000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJD4150PTBG
Číslo produktu DigiKey	NTLJD4150PTBG-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJD4150PTBG
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 1,8A 700mW Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4,5nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 300pF při 15V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 700mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,8A	Základní číslo produktu NTLJD41
Rds zap (max) při Id, Vgs 135mOhm při 4A, 10V