Name: NTLJD3119CTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3119CTBGOSTR-ND
Price: 33.7953 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJD3119CTBG
Číslo produktu DigiKey	NTLJD3119CTBGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJD3119CTBGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJD3119CTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJD3119CTBG
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 2,6A, 2,3A 710mW Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTLJD3119CTBG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 65mOhm při 3,8A, 4,5V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Řada µCool™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3,7nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 271pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 710mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,6A, 2,3A	Základní číslo produktu NTLJD3119