Name: NTLJD3115PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJD3115PT1GOSTR-ND
Price: 28.7133 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJD3115PT1G
Číslo produktu DigiKey	NTLJD3115PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJD3115PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJD3115PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJD3115PT1G
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 2,3A 710mW Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6,2nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 531pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 710mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra 6-WDFN (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,3A	Základní číslo produktu NTLJD3115
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 2A, 4,5V