Name: NTJD5121NT2G
Brand: onsemi
SKU: NTJD5121NT2GOSTR-ND
Price: 10.8537 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTJD5121NT2G
Číslo produktu DigiKey	NTJD5121NT2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTJD5121NT2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTJD5121NT2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTJD5121NT2G
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 295mA 250mW Montáž na povrch SC-88/SC70-6/SOT-363
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTJD5121NT2G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0,9nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 26pF při 20V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 250mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra SC-88/SC70-6/SOT-363
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 295mA	Základní číslo produktu NTJD5121
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,6Ohm při 500mA, 10V