NTHL080N120SC1 onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTHL080N120SC1
Číslo produktu DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTHL080N120SC1
Popis	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTHL080N120SC1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	44A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	110mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1670 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	348W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	NTHL080