NTHD4102PT3G je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 19 555
Jednotková cena : 35,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,25000 Kč
Katalogový list
Pole MOSFET 20V 2,9A 1,1W Montáž na povrch ChipFET™
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTHD4102PT3G

Číslo produktu DigiKey
NTHD4102PT3G-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NTHD4102PT3G
Popis
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 20V 2,9A 1,1W Montáž na povrch ChipFET™
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
NTHD4102PT3G Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
1,5V při 250µA
Výrobce
onsemi
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
8,6nC při 4,5V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
750pF při 16V
Stav součásti
Zastaralé
Výkon - max
1,1W
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace
2 P-kanál (duální)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Pouzdro
8-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20V
Dodávaná velikost pouzdra
ChipFET™
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
2,9A
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
80mOhm při 2,9A, 4,5V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
NTHD4102PT1Gonsemi19 555NTHD4102PT1GOSCT-ND35,07000 KčSimilar
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.01727-1291-1-ND5,25000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.
Nezrušitelné/nevratné