
NTHD4102PT1G | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | NTHD4102PT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NTHD4102PT1G |
Popis | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 2,9A 1,1W Montáž na povrch ChipFET™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | NTHD4102PT1G Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 2,9A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 80mOhm při 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 8,6nC při 4,5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 750pF při 16V | |
Výkon - max | 1,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SMD, Ploché vodiče | |
Dodávaná velikost pouzdra | ChipFET™ | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 32,49000 Kč | 32,49 Kč |
10 | 20,53800 Kč | 205,38 Kč |
100 | 13,69780 Kč | 1 369,78 Kč |
500 | 10,75912 Kč | 5 379,56 Kč |
1 000 | 9,81343 Kč | 9 813,43 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 8,61251 Kč | 25 837,53 Kč |
6 000 | 8,00806 Kč | 48 048,36 Kč |
9 000 | 7,75397 Kč | 69 785,73 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 32,49000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 39,31290 Kč |