
NTHD3100CT1G | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | NTHD3100CT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTHD3100CT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NTHD3100CT1G |
Popis | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 2,9A, 3,2A 1,1W Montáž na povrch ChipFET™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | NTHD3100CT1G Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 2,9A, 3,2A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 80mOhm při 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,2V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 2,3nC při 4,5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 165pF při 10V | |
Výkon - max | 1,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SMD, Ploché vodiče | |
Dodávaná velikost pouzdra | ChipFET™ | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 32,03000 Kč | 32,03 Kč |
| 10 | 20,26500 Kč | 202,65 Kč |
| 100 | 13,50970 Kč | 1 350,97 Kč |
| 500 | 10,61068 Kč | 5 305,34 Kč |
| 1 000 | 9,67814 Kč | 9 678,14 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 8,49388 Kč | 25 481,64 Kč |
| 6 000 | 7,89792 Kč | 47 387,52 Kč |
| 9 000 | 7,64798 Kč | 68 831,82 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 32,03000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 38,75630 Kč |










