Name: NTHD3100CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD3100CT1GOSTR-ND
Price: 42.4347 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTHD3100CT1G
Číslo produktu DigiKey	NTHD3100CT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTHD3100CT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTHD3100CT1G
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 2,9A, 3,2A 1,1W Montáž na povrch ChipFET™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTHD3100CT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,2V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2,3nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 165pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,1W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra ChipFET™
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,9A, 3,2A	Základní číslo produktu NTHD3100
Rds zap (max) při Id, Vgs 80mOhm při 2,9A, 4,5V