


NTH4L070N120M3S | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NTH4L070N120M3S-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NTH4L070N120M3S |
Popis | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 34A (Tc) 160W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 7mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 57 nC @ 18 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +22V, -10V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1230 pF @ 800 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 160W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4L |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 87mOhm při 15A, 18V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H80SM4 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H80SM4-ND | 140,05867 Kč | Similar |
| DMWSH120H90SM4 | Diodes Incorporated | 21 | 31-DMWSH120H90SM4-ND | 250,89000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 213,14000 Kč | 213,14 Kč |
| 10 | 146,32200 Kč | 1 463,22 Kč |
| 450 | 93,34133 Kč | 42 003,60 Kč |
| 900 | 90,34209 Kč | 81 307,88 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 213,14000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 257,89940 Kč |

