Name: NTH4L045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L045N065SC1-ND
Price: 378.3186 CZK
Availability: InStock

N-kanál 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTH4L045N065SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTH4L045N065SC1-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTH4L045N065SC1
Popis	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,3V při 8mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 105 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1870 pF @ 325 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 187W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 55A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4L
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Pouzdro TO-247-4
Rds zap (max) při Id, Vgs 50mOhm při 25A, 18V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 187

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	312,66000 Kč	312,66 Kč
30	190,32600 Kč	5 709,78 Kč
120	163,51667 Kč	19 622,00 Kč
510	148,74200 Kč	75 858,42 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.