Name: NTBGS004N10G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBGS004N10GTR-ND
Price: 196.3346 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBGS004N10G
Číslo produktu DigiKey	488-NTBGS004N10GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTBGS004N10GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTBGS004N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBGS004N10G
Popis	POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 21A (Ta), 203A (Tc) 3,7W (Ta), 340W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 500µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 178 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12100 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,7W (Ta), 340W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 203A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,1mOhm při 100A, 10V