NTBG1000N170M1 onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG1000N170M1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG1000N170M1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG1000N170M1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG1000N170M1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG1000N170M1
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 4,3A (Tc) 51W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,43Ohm při 2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 640µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	150 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	51W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA