Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 337.4811 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG080N120SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG080N120SC1
Popis	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	110mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1154 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	179W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	NTBG080