Name: NTBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG070N120M3STR-ND
Price: 204.4053 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG070N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG070N120M3STR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG070N120M3SCT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG070N120M3S
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 36A (Tc) 172W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	87mOhm při 15A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1230 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	172W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA