Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 286.3465 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG040N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG040N120M3S
Popis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 10mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 75 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1700 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 263W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 57A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Rds zap (max) při Id, Vgs 54mOhm při 20A, 18V	Základní číslo produktu NTBG040