Name: NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG028N170M1TR-ND
Price: 946.1716 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

NTBG028N170M1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG028N170M1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG028N170M1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG028N170M1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG028N170M1
Popis	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	71A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 60A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	222 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4160 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	428W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	NTBG028

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	781,96000 Kč	781,96 Kč
10	643,83400 Kč	6 438,34 Kč

Jednotková cena bez DPH:	781,96000 Kč
Jednotková cena s DPH:	946,17160 Kč

NTBG028N170M1