Name: NTBG020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG020N090SC1TR-ND
Price: 717.3122 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG020N090SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG020N090SC1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG020N090SC1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG020N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG020N090SC1
Popis	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 900 V 9,8A (Ta), 112A (Tc) 3,7W (Ta), 477W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTBG020N090SC1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	900 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,8A (Ta), 112A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 60A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	4,3V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	200 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4415 pF @ 450 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 477W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Základní číslo produktu	NTBG020