Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 274.4038 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTB082N65S3F
Číslo produktu DigiKey	NTB082N65S3FOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTB082N65S3FOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTB082N65S3F
Popis	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTB082N65S3F Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 4mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 81 nC @ 10 V
Řada SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3410 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 313W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu NTB082
Rds zap (max) při Id, Vgs 82mOhm při 20A, 10V