Name: NSVMUN5211DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN5211DW1T3GOSTR-ND
Price: 7.3205 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NSVMUN5211DW1T3G
Číslo produktu DigiKey	NSVMUN5211DW1T3GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NSVMUN5211DW1T3GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NSVMUN5211DW1T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NSVMUN5211DW1T3G
Popis	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Standardní dodací lhůta výrobce	51 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250mW Montáž na povrch SC-88/SC70-6/SOT-363
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NSVMUN5211DW1T3G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Pole bipolárních tranzistorů, s předpěťovým obvodem	Saturace Vce (max) při Ib, Ic 250mV při 300µA, 10mA
Výrobce onsemi	Zbytkový proud kolektoru (max) 500nA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 250mW
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Typ tranzistoru 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Proud kolektoru (Ic) (max) 100mA	Způsob montáže Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 50V	Pouzdro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Odpor - báze (R1) 10kOhm	Dodávaná velikost pouzdra SC-88/SC70-6/SOT-363
Odpor - emitor- báze (R2) 10kOhm	Základní číslo produktu MUN5211
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce 35 při 5mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®