Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 450 mW Montáž na povrch, Smáčitelný bok 3-XDFNW (1x1)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NSVBA114EMXWTBG

Číslo produktu DigiKey
488-NSVBA114EMXWTBG-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
NSVBA114EMXWTBG
Popis
BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Standardní dodací lhůta výrobce
18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 450 mW Montáž na povrch, Smáčitelný bok 3-XDFNW (1x1)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Kategorie
Odpor - emitor- báze (R2)
10 kOhms
Výrobce
onsemi
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
35 při 5mA, 10V
Řada
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
250mV při 300µA, 10mA
Balení
Hromadné balení
Zbytkový proud kolektoru (max)
500nA
Stav součásti
Aktivní
Výkon - max
450 mW
Typ tranzistoru
PNP - předpěťový obvod
Třída
Automobilový průmysl
Proud kolektoru (Ic) (max)
100 mA
Kvalifikace
AEC-Q101
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Způsob montáže
Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Včetně rezistorů
R1 a R2
Pouzdro
3-XFDFN
Odpor - báze (R1)
10 kOhms
Dodávaná velikost pouzdra
3-XDFNW (1x1)
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 3 000
Skladové zásoby výrobce: 66 000
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
111,26000 Kč11,26 Kč
106,90300 Kč69,03 Kč
1004,38380 Kč438,38 Kč
5003,29808 Kč1 649,04 Kč
1 0002,94709 Kč2 947,09 Kč
2 0002,65157 Kč5 303,14 Kč
5 0002,33123 Kč11 656,15 Kč
10 0002,13308 Kč21 330,80 Kč
50 0001,78619 Kč89 309,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:11,26000 Kč
Jednotková cena s DPH:13,62460 Kč