MUN5212DW1T1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 7 604
Jednotková cena : 5,46000 Kč
Katalogový list

Direct


Nexperia USA Inc.
Skladem : 4
Jednotková cena : 4,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 3 739
Jednotková cena : 7,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 993
Jednotková cena : 7,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 72 336
Jednotková cena : 7,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 188 885
Jednotková cena : 7,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 973
Jednotková cena : 5,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 970
Jednotková cena : 4,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 5 464
Jednotková cena : 10,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 5 793
Jednotková cena : 10,92000 Kč
Katalogový list
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250mW Montáž na povrch SC-88/SC70-6/SOT-363
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250mW Montáž na povrch SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363

MUN5212DW1T1

Číslo produktu DigiKey
MUN5212DW1T1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
MUN5212DW1T1
Popis
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250mW Montáž na povrch SC-88/SC70-6/SOT-363
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
MUN5212DW1T1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
60 při 5mA, 10V
Výrobce
onsemi
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
250mV při 300µA, 10mA
Balení
Páska a cívka (TR)
Zbytkový proud kolektoru (max)
500nA
Stav součásti
Zastaralé
Výkon - max
250mW
Typ tranzistoru
2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Proud kolektoru (Ic) (max)
100mA
Pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50V
Dodávaná velikost pouzdra
SC-88/SC70-6/SOT-363
Odpor - báze (R1)
22kOhm
Základní číslo produktu
Odpor - emitor- báze (R2)
22kOhm
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (11)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
MUN5212DW1T1Gonsemi7 604MUN5212DW1T1GOSCT-ND5,46000 KčDirect
PUMH1,115Nexperia USA Inc.41727-6298-1-ND4,41000 KčDirect
DCX124EU-7-FDiodes Incorporated3 739DCX124EU-FDICT-ND7,98000 KčSimilar
DDC113TU-7-FDiodes Incorporated99331-DDC113TU-7-FCT-ND7,98000 KčSimilar
DDC114TU-7-FDiodes Incorporated72 336DDC114TU-FDICT-ND7,98000 KčSimilar
Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 43 833 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné

Other Suppliers on DigiKey

43 833Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC