MUN2211JT1G je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


onsemi
Skladem : 41 361
Jednotková cena : 4,17000 Kč
Katalogový list

Direct


Diodes Incorporated
Skladem : 131 414
Jednotková cena : 4,38000 Kč
Katalogový list

Direct


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,14253 Kč
Katalogový list

Direct


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 581
Jednotková cena : 2,71000 Kč
Katalogový list

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,71000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 1 400
Jednotková cena : 4,38000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 23 635
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,99714 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 1 800
Jednotková cena : 5,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 110 198
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 34 554
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 58
Jednotková cena : 5,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 7 892
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 230 mW Montáž na povrch SC-59
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 230 mW Montáž na povrch SC-59
SC 59

MUN2211JT1G

Číslo produktu DigiKey
MUN2211JT1G-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
MUN2211JT1G
Popis
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 230 mW Montáž na povrch SC-59
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Odpor - emitor- báze (R2)
10 kOhms
Výrobce
onsemi
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
35 při 5mA, 10V
Balení
Páska a cívka (TR)
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
250mV při 300µA, 10mA
Stav součásti
Zastaralé
Zbytkový proud kolektoru (max)
500nA
Typ tranzistoru
NPN - s předpěťovým obvodem
Výkon - max
230 mW
Proud kolektoru (Ic) (max)
100 mA
Způsob montáže
Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Včetně rezistorů
R1 a R2
Dodávaná velikost pouzdra
SC-59
Odpor - báze (R1)
10 kOhms
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (22)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
MUN2211T1Gonsemi41 361MUN2211T1GOSCT-ND4,17000 KčDirect
DDTC114ECA-7-FDiodes Incorporated131 414DDTC114ECA-FDICT-ND4,38000 KčDirect
DDTC114ECAQ-7-FDiodes Incorporated031-DDTC114ECAQ-7-FTR-ND1,14253 KčDirect
PDTC114ET,215Nexperia USA Inc.2 5811727-5131-1-ND2,71000 KčDirect
PDTC114ET,235Nexperia USA Inc.01727-6420-1-ND2,71000 KčUpgrade
Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 222 000 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné

Other Suppliers on DigiKey

222 000Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC